发明名称 |
INTERCONNECT STRUCTURE COMPRISING FINE PITCH BACKSIDE METAL REDISTRIBUTION LINES COMBINED WITH VIAS |
摘要 |
금속 재분포 층들(RDL들)이 TSV들과 통합되고 "레지스트를 통한 도금" 유형의 공정 흐름을 이용하는 3D 상호접속 구조 및 제조 방법이 기술된다. 이 공정 흐름 동안 기밀 장벽 및 연마 정지 층을 제공하기 위해서 실리콘 질화물 또는 실리콘 탄화물 패시베이션 층이 박화 장치 웨이퍼 후면측과 RDL들 사이에 제공될 수 있다. |
申请公布号 |
KR20160051688(A) |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
KR20157033344 |
申请日期 |
2013.06.29 |
申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
LEE KEVIN J.;JEONG JAMES Y.;CHANG HSIAO KANG;MUIRHEAD JOHN;TELANG ADWAIT;PURI PUNEESH;KANG JIHO;PATEL NITIN M. |
分类号 |
H01L23/48;H01L21/768;H01L23/31 |
主分类号 |
H01L23/48 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|