发明名称 INTERCONNECT STRUCTURE COMPRISING FINE PITCH BACKSIDE METAL REDISTRIBUTION LINES COMBINED WITH VIAS
摘要 금속 재분포 층들(RDL들)이 TSV들과 통합되고 "레지스트를 통한 도금" 유형의 공정 흐름을 이용하는 3D 상호접속 구조 및 제조 방법이 기술된다. 이 공정 흐름 동안 기밀 장벽 및 연마 정지 층을 제공하기 위해서 실리콘 질화물 또는 실리콘 탄화물 패시베이션 층이 박화 장치 웨이퍼 후면측과 RDL들 사이에 제공될 수 있다.
申请公布号 KR20160051688(A) 申请公布日期 2016.05.11
申请号 KR20157033344 申请日期 2013.06.29
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 LEE KEVIN J.;JEONG JAMES Y.;CHANG HSIAO KANG;MUIRHEAD JOHN;TELANG ADWAIT;PURI PUNEESH;KANG JIHO;PATEL NITIN M.
分类号 H01L23/48;H01L21/768;H01L23/31 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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