| 发明名称 | 半导体器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括：存储阵列，包括存储块；以及操作电路，适用于对包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管执行编程循环和擦除循环，其中，操作电路对选择晶体管执行编程循环，使得基于选定存储块的单元电流值与参考单元电流值之间的差异而在选择晶体管的阈值电压与目标阈值电压之间发生差异。 | ||
| 申请公布号 | CN105575429A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201510745542.6 | 申请日期 | 2015.11.05 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 全裕男;沈根守;吴海顺;朴凤烈 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：存储阵列，包括存储块；以及操作电路，适用于对包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管执行编程循环和擦除循环，其中，操作电路对选择晶体管执行编程循环，使得基于选定存储块的单元电流值与参考单元电流值之间的差异而在选择晶体管的阈值电压与目标阈值电压之间发生差异。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||