发明名称 阵列基板及其制作方法和液晶显示装置
摘要 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制作方法和液晶显示装置,所述阵列基板包括:衬底,位于衬底上的栅极和公共电极,设置于栅极和公共电极上的栅极绝缘层,设置于栅极绝缘层上的有源层,设置于有源层上的源极和漏极,设置于源极、漏极、有源层和栅极绝缘层上的绝缘层,设置于绝缘层和漏极上的像素电极,公共电极、位于公共电极上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的绝缘层和位于绝缘层上的像素电极构成存储电容,且位于第二区域的绝缘层的厚度小于位于第一区域的绝缘层的厚度,第二区域的绝缘层包括位于存储电容区域的绝缘层,第一区域的绝缘层包括除了存储电容区域之外的绝缘层。本发明阵列基板及其制作方法和液晶显示装置能够提高显示品质。
申请公布号 CN105572995A 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201610068951.1 申请日期 2016.02.01
申请人 昆山龙腾光电有限公司 发明人 刘厚锋;刘飒
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人 王春丽
主权项 一种阵列基板,其特征在于,其包括:衬底,位于所述衬底上的栅极和公共电极,设置于所述栅极和所述公共电极上的栅极绝缘层,设置于所述栅极绝缘层上的有源层,设置于所述有源层上的源极和漏极,设置于所述源极、漏极、有源层和栅极绝缘层上的绝缘层,设置于所述绝缘层和所述漏极上的像素电极,其中,所述公共电极、位于所述公共电极上的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的所述绝缘层和位于所述绝缘层上的所述像素电极构成存储电容,且位于第二区域的绝缘层的厚度小于位于第一区域的绝缘层的厚度,其中,所述第二区域的绝缘层包括位于存储电容区域的绝缘层,所述第一区域的绝缘层包括除了存储电容区域之外的绝缘层。
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