| 发明名称 | 发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底；在衬底上生长一GaN层作为低温缓冲层；低温缓冲层的生长温度为530～560℃；在低温缓冲层上生长又一GaN层作为高温缓冲层；所述高温缓冲层包括依次层叠在所述低温缓冲层上的第一高温缓冲子层和第二高温缓冲子层；所述第一高温缓冲子层的生长温度高于所述第二高温缓冲子层的生长温度，所述第一高温缓冲子层的生长温度为1060～1090℃，所述第二高温缓冲子层的生长温度为1030～1060℃；且所述第一高温缓冲子层的生长速率慢于所述第二高温缓冲子层的生长速率；在所述高温缓冲层上依次生长N型层、有源层、电子阻挡层和P型层，得到发光二极管外延片。 | ||
| 申请公布号 | CN105576090A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201610045557.6 | 申请日期 | 2016.01.25 |
| 申请人 | 华灿光电（苏州）有限公司 | 发明人 | 姚振;从颖;陈柏松;胡加辉;魏世祯 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人 | 徐立 |
| 主权项 | 一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上生长一GaN层作为低温缓冲层；所述低温缓冲层的生长温度为530～560℃；在所述低温缓冲层上生长又一GaN层作为高温缓冲层；所述高温缓冲层包括依次层叠在所述低温缓冲层上的第一高温缓冲子层和第二高温缓冲子层；所述第一高温缓冲子层的生长温度高于所述第二高温缓冲子层的生长温度，所述第一高温缓冲子层的生长温度为1060～1090℃，所述第二高温缓冲子层的生长温度为1030～1060℃；且所述第一高温缓冲子层的生长速率慢于所述第二高温缓冲子层的生长速率；在所述高温缓冲层上依次生长N型层、有源层、电子阻挡层和P型层，得到发光二极管外延片。 | ||
| 地址 | 215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路 | ||