三族氮化物半导体发光元件之制造方法

摘要

明提供一种三族氮化物半导体发光元件之制造方法，其中在藉由形成一井层、一覆盖层、及一障壁层以形成发光层时，一面抑制对井层的损害之发生，一面形成具有优越平坦度及结晶性的井层。在发光层的形成中，设置复数之凹洞于发光层中，令凹洞直径D在120nm至250nm的范围内。发光层的形成步骤包含：形成障壁层、形成井层、及形成覆盖层的步骤。障壁层的生长温度比井层的生长温度高出了一段温度，该段温度系于65℃至135℃间范围内的任何温度。

主权项

一种三族氮化物半导体发光元件之制造方法，该三族氮化物半导体发光元件具有于一基板主要表面上的三族氮化物半导体层，该方法包含：形成一发光层，形成该发光层的步骤更包含复数个步骤：形成一障壁层，该障壁层包含AlGaN；形成一井层于该障壁层上，该井层包含InGaN；且形成一覆盖层于该井层上，该覆盖层包含了具有在2至18的范围之厚度的GaN；其中于该障壁层形成中的基板温度比于该井层形成中的基板温度高出了一段温度，该段温度系于65℃至135℃间范围内的任何温度；其中在该发光层的形成中，将于该发光层底面处所测量的一平均凹洞直径调整到50nm至170nm的范围内；且其中在该发光层的形成中，在形成该障壁层时的温度上升期间内藉由以该覆盖层部份地填入凹洞的内部而将于该发光层顶面处所测量的一平均凹洞直径调整到120nm至250nm的范围内。