发明名称 メモリシステムの動作方法並びにそれを含むメモリシステム及びメモリカード
摘要 The invention provides an operation method of a memory system including a flash memory device. The method includes programming at least one page included in a selected memory block of the flash memory device; and determining the selected memory block or the flash memory device to be invalid, according to whether a loop number of the programmed page is out of a reference loop range.
申请公布号 JP5916155(B2) 申请公布日期 2016.05.11
申请号 JP20140046741 申请日期 2014.03.10
申请人 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 发明人 金 鍾 和;崔 永 準;權 錫 千
分类号 G11C16/02;G11C16/04 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人
主权项
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