衬底处理装置、晶片支架及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供具有不对成膜精度带来不良影响且获得耐高温效果的晶片的层叠构造的衬底处理装置。具有将晶片(14)保持在内周侧的支架底座(110)、和具有保持支架底座(110)的外周侧的支架保持部(HS)的各舟皿柱(31a～31c)，支架底座(110)的外径尺寸比晶片(14)的外径尺寸大，并且支架底座(110)能够从支架保持部(HS)拆下。无需通过焊接等固定支架底座(110)和各舟皿柱(31a～31c)，能够由SiC等形成支架底座(110)及各舟皿柱(31a～31c)，能够容易地实现获得耐高温效果的晶片的层叠构造。另外，由于能够通过支架底座(110)使晶片(14)从各舟皿柱(31a～31c)远离，所以能够抑制对成膜精度带来不良影响。

主权项

一种衬底处理装置，其特征在于，包括：反应容器；气体喷嘴，被设置在所述反应容器内，并向所述反应容器内供给反应气体；舟皿，向所述反应容器送入及从所述反应容器送出，并包含具有支架保持部的多个舟皿柱；晶片支架，被所述支架保持部保持，并在其内周侧保持衬底，所述晶片支架的外径尺寸比所述衬底的外径尺寸大，并且所述晶片支架能从所述支架保持部拆下，所述多个舟皿柱包括第一、第二、第三舟皿柱，所述第一、第二舟皿柱的间隔比所述第二、第三舟皿柱的间隔窄，所述晶片支架包含切缺部，所述切缺部在所述晶片支架的外周侧且在所述第一舟皿柱和所述第二舟皿柱之间以及所述第一舟皿柱和所述第三舟皿柱之间沿所述晶片支架的径向设置，在所述晶片支架的与所述第一、第二、第三舟皿柱对应的位置设有贯穿所述晶片支架的连通孔，所述连通孔沿晶片支架周向的长度尺寸设定得比所述第一、第二、第三舟皿柱的宽度尺寸大，所述连通孔沿晶片支架径向的宽度尺寸设定得比所述切缺部的沿晶片支架径向的宽度尺寸大，由此使反应气体在所述第一、第二、第三舟皿柱和所述晶片支架的对应于所述第一、第二、第三舟皿柱的表面区域的消耗与反应气体在所述第一、第二、第三舟皿柱之间的所述晶片支架的表面区域的消耗大致相同。