| 发明名称 | 升压电路以及集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种升压电路以及集成电路。根据本发明实施例的升压电路包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一电源控制电路、第一NMOS晶体管、第一电容器。其中，第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极互联，并且连接至电荷泵的输出端。第一PMOS晶体管的栅极和第二PMOS晶体管的栅极互联，并且连接至第一PMOS晶体管的漏极和第一电源控制电路；第一电源控制电路的另一端接地。第二PMOS晶体管的漏极连接至第一NMOS晶体管的栅极，并且第二PMOS晶体管的漏极还连接至第一电容器的第一端，第一电容器的第二端接地；第一NMOS晶体管的源极连接至电荷泵的输出端。根据本发明实施例的升压电路进一步包括第八PMOS晶体管；其中，第八PMOS晶体管的源极和漏极分别连接至第一NMOS晶体管的源极和漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN102624229B | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201210093556.0 | 申请日期 | 2012.03.31 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 杨光军 |
| 分类号 | H02M3/155(2006.01)I | 主分类号 | H02M3/155(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种升压电路，其特征在于包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一电源控制电路、第一NMOS晶体管、第一电容器；其中，第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极互联，并且连接至电荷泵的输出端；第一PMOS晶体管的栅极和第二PMOS晶体管的栅极互联，并且连接至第一PMOS晶体管的漏极和第一电源控制电路；第一电源控制电路的另一端接地；第二PMOS晶体管的漏极连接至第一NMOS晶体管的栅极，并且第二PMOS晶体管的漏极还连接至第一电容器的第一端，第一电容器的第二端接地；第一NMOS晶体管的源极连接至电荷泵的输出端；并且，所述升压电路进一步包括第八PMOS晶体管；其中，第八PMOS晶体管的源极和漏极分别连接至第一NMOS晶体管的源极和漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||