一种CMP压力分布计算方法及研磨去除率的获取方法

摘要

本发明提供了一种CMP压力分布计算方法及研磨去除率的获取方法，该CMP压力分布计算方法，包括，将芯片版图划分为若干个窗格，并选取任一窗格为当前窗格；判断所述当前窗格的接触模式；根据所述当前窗格的接触模式和弹性力学模型计算所述当前窗格的压力；其中，所述弹性力学模型由研磨垫的弹性模量、面积、整体位移以及当前窗格的接触模式、高度、和面积共同确定。该CMP压力分布计算方法把研磨垫简化成弹性体，提出了计算CMP压力分布的弹性力学模型，该模型相较于现有技术的CMP压力计算模型降低了压力计算的复杂度，能够较为快速地获取到实时的CMP过程中的压力分布，提高了效率，进而提高了其实用性。

主权项

一种CMP压力分布计算方法，其特征在于，包括，将芯片版图划分为若干个窗格，并选取任一窗格为当前窗格；判断所述当前窗格的接触模式，所述当前窗格的接触模式由乘积和所述当前窗格高度之间的关系确定；所述乘积为所述当前窗格的相关窗格高度和所述相关窗格高度对所述当前窗格的影响因子的乘积；其中，窗格高度是指从所述窗格所在芯片的基准线到芯片的表面之间的距离；根据所述当前窗格的接触模式和CMP压力分布计算模型计算所述当前窗格的压力；其中，所述CMP压力分布计算模型由研磨垫的弹性模量、面积、整体位移以及当前窗格的接触模式、高度和面积共同确定；所述CMP压力分布计算模型为：$P_0\times A_0=\underset{i=1}{\overset{n}{\Sigma }}{\delta }_i\times P_i\times A_i;$$P_i=\frac{E}{L}\times (\Delta x-h_i);$$s_i=\frac{A_i}{A_0};$其中，P₀为研磨垫施加到芯片上的总压力，A₀为芯片总受力面积，P_i是第i个窗格所受的压力，A_i是第i个窗格的面积，Δx为研磨垫的总体位移，h_i是第i个窗格的高度，E为研磨垫的弹性模量，L为研磨垫的原始厚度，s_i为第i个窗格的面积A_i占芯片总受力面积A₀的比例，δ_i为第i个窗格的接触因子。