发明名称 用于静电释放保护的设备
摘要 一种设备包括静电释放(ESD)保护装置。在一个实施例中,保护装置在防止其发生瞬间电事件的内部电路的第一节点和第二节点之间。保护装置包括双极型器件或硅控整流器(SCR)。双极型器件或SCR可具有修改的结构或附加电路以具有选择的保持电压和/或触发电压来提高对内部电路的保护。附加电路可包括一个或多个电阻器、一个或多个二极管、和/或计时器电路,以将双极型器件或SCR的触发和/或保持电压调节成期望电平。保护装置可提供针对例如从大约100V至330V的瞬间电压的保护。
申请公布号 CN103548138B 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201280022565.9 申请日期 2012.05.09
申请人 美国亚德诺半导体公司 发明人 E·科尼
分类号 H01L27/02(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 申发振
主权项 一种用于静电放电保护的设备,包括:电耦接在第一节点和第二节点之间的内部电路;以及电耦接在第一节点和第二节点之间的保护装置,其中保护装置被配置成保护内部电路以防止瞬间电事件,保护装置包括:具有阳极、栅极和阴极的硅控整流器SCR,其中阳极电耦接至第一节点,阴极电耦接至第二节点;以及二极管阵列,其包括串行连接在硅控整流器的栅极和阳极之间的多个二极管,并且所述多个二极管被布置成使得当二极管击穿时二极管向SCR传导电流以使得SCR导通,其中SCR包括:具有第一类型的掺杂的衬底(810);第一阱(820),其布置在衬底的第一上部部分中,并具有不同于第一类型的第二类型的掺杂;第二阱(830),其布置在衬底(810)的第二上部部分中,并与第一阱横向隔开以使得衬底(810)的第三上部部分横向地插在第一和第二阱之间,第二阱具有第二类型的掺杂,第三上部部分具有第一类型的掺杂;布置在第一阱的顶部中的第一区域,其具有第二类型的掺杂且掺杂浓度高于第一阱,第一区域电耦接至第二节点;布置在第二阱的顶部中的第二区域,其具有第二类型的掺杂且掺杂浓度高于第二阱;第三区域,其布置在第一阱中与第一区域邻接以使得第三区域横向地插在第一区域和衬底的第三上部部分之间,第三区域具有第一类型的掺杂且掺杂浓度高于衬底;第四区域,其布置在第二阱中与第二区域邻接以使得第四区域横向地插在第二区域和衬底的第三上部部分之间,第四区域具有第一类型的掺杂且掺杂浓度高于衬底,第四区域电耦接至第一节点;以及栅极接触部,其布置在衬底的第三上部部分上。
地址 美国马萨诸塞州