| 发明名称 | 制造硅纳米线的方法和包含硅纳米线的器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备具有宽度为100nm或更小，特别是50nm或更小的硅纳米线的方法，所述方法包括：在含硅层上沉积金属膜，用湿方法处理所述金属膜以产生在含硅层上具有间隙的相互连接的金属网络，并用金属辅助蚀刻方法蚀刻所述含硅层以形成具有宽度为100nm或更小，特别是50nm或更小的硅纳米线。本发明还涉及含有硅纳米线的锂离子电池、热电材料、太阳能电池、化学和生物传感器以及药物递送器件。 | ||
| 申请公布号 | CN105580170A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201480044334.7 | 申请日期 | 2014.08.13 |
| 申请人 | 得克萨斯州大学系统董事会 | 发明人 | P·S·何;吴卓杰 |
| 分类号 | H01M4/134(2006.01)I;H01M4/1395(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01M4/134(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆蔚;樊云飞 |
| 主权项 | 一种制备宽度为100nm或更小的硅纳米线的方法，所述方法包括：在含硅层上沉积金属膜；用湿方法处理所述金属膜，以在所述含硅层上制备具有间隙的相互连接的金属网络；以及用金属辅助蚀刻方法蚀刻含硅层以形成宽度为100nm或更小的硅纳米线。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||