| 发明名称 | 沟槽型功率器件的制造方法和沟槽型功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种沟槽型功率器件的制造方法和一种沟槽型功率器件，其中，沟槽型功率器件的制造方法包括：在硅片表面刻蚀沟槽，其中，所述沟槽的刻蚀方向为晶向[110]方向旋转45度。通过本技术方案，可以改变N型沟槽型功率器件侧面壁的晶向，从而提高N型沟槽型功率器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105575761A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201410539247.0 | 申请日期 | 2014.10.13 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人 | 尚志峰;汪海屏 |
| 主权项 | 一种沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，包括：在硅片表面刻蚀第一沟槽，以得到刻蚀后的硅片，其中，所述第一沟槽的刻蚀方向为晶向[110]方向旋转45度。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||