发明名称 固体摄像元件
摘要 本发明在固体摄像元件中,防止邻接光电转换元件间的光电荷混同,且实现微细化。固体摄像元件具备多个像素(103)。包括第1导电型的第1半导体层(105),第1导电型的第2半导体层(107),第2导电型半导体区域(111),绝缘分离邻接像素(103)的深槽(123),嵌入深槽(123)内的电极(127)。从表面侧按照第2导电型半导体区域(111)、第2半导体层(107)、第1半导体层(105)顺序排列。由深槽(123)按各像素(103)分离第2半导体层(107)。第1半导体层(105)的第1导电型的杂质浓度比第2半导体层(107)的第1导电型的杂质浓度高。深槽(123)与第1半导体层(105)相接。
申请公布号 CN105575982A 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201510700379.1 申请日期 2015.10.26
申请人 株式会社理光 发明人 樱野胜之;根来宝昭;上田佳德;米田和洋;爱须克彦;中谷宁一;渡边博文
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 张祥
主权项 一种具备多个像素的固体摄像元件,其特征在于:上述固体摄像元件包括:第1导电型的第1半导体层;第1导电型的第2半导体层,邻接在上述第1半导体层上配置;第2导电型半导体区域,配置于上述第2半导体层内;深槽,绝缘分离邻接的上述像素;以及电极,嵌入上述深槽内;从表面侧按照上述第2导电型半导体区域、上述第2半导体层、上述第1半导体层的顺序排列;由上述深槽按上述每个像素分离上述第2半导体层;上述第1半导体层的第1导电型的杂质浓度比上述第2半导体层的第1导电型的杂质浓度高;上述深槽与上述第1半导体层相接。
地址 日本东京都