发明名称 一种提高多晶硅电池PECVD工序产能的方法
摘要 本发明公开了一种提高多晶硅电池PECVD工序产能的方法,通过优化镀膜的工艺参数,增加氮化硅膜沉积速率,提高了PECVD工序的产能。
申请公布号 CN105576082A 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201610116142.3 申请日期 2016.03.02
申请人 江西展宇新能源股份有限公司 发明人 陈园;杨晓琴;曹黔晋;黄明;曹江伟;曹雪
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 江西省专利事务所 36100 代理人 杨志宇
主权项 一种提高多晶硅电池PECVD工序产能的方法,其特征为:包括沉积在硅基衬底上包含两层氮化硅膜。
地址 334100 江西省上饶市经济开发区金光大道8号