分离栅极式闪存的制作方法及分离栅极式闪存

摘要

本申请公开了一种分离栅极式闪存的制作方法及分离栅极式闪存。其中，该制作方法包括：提供半导体基体，包括核心存储区和外围电路区，且核心存储区上形成有至少一对栅极叠层结构和覆盖在栅极叠层结构的侧面的侧壁介质层；形成覆盖栅极叠层结构、侧壁介质层和半导体基体的裸露表面的多晶硅层；刻蚀位于核心存储区上的多晶硅层，以在每对栅极叠层结构的外侧形成字线栅，并在每对栅极叠层结构中相邻侧壁介质层之间形成可擦除栅；刻蚀位于外围电路区上的多晶硅层，以形成外围栅极。该制作方法以自对准方式形成了字线栅，从而使得所形成的各字线栅的对称性得以提高，进而提高了分离栅极式闪存的性能。

主权项

一种分离栅极式闪存的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供半导体基体，包括核心存储区和外围电路区，且所述核心存储区上形成有至少一对栅极叠层结构和覆盖在所述栅极叠层结构的侧面的侧壁介质层；形成覆盖所述栅极叠层结构、所述侧壁介质层和所述半导体基体的裸露表面的多晶硅层；刻蚀位于所述核心存储区上的所述多晶硅层，以在每对所述栅极叠层结构的外侧形成字线栅，并在每对所述栅极叠层结构中相邻所述侧壁介质层之间形成可擦除栅；刻蚀位于所述外围电路区上的所述多晶硅层，以形成外围栅极。