一种基于氧化锌薄膜的薄膜晶体管

摘要

本发明公开了一种基于氧化锌薄膜的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括半导体沟道层、栅绝缘层、源极、漏极和栅极。本发明的基于氧化锌薄膜的薄膜晶体管以氧化锌薄膜作为半导体沟道层，采用顶栅结构并采用双层的栅绝缘层，栅绝缘层中第一绝缘层作为氧化锌薄膜的保护层，能有效保护氧化锌薄膜不受环境和后续工艺的影响。通过多次氧气氛围下的快速退火，使得氧化锌薄膜的载流子浓度得到有效控制，进而使薄膜晶体管可以在接近0V的栅极偏压下实现关断，并对氧化锌薄膜进行去氢化处理，同时修复半导体沟道层和绝缘层的界面处缺陷，使得薄膜晶体管的电学稳定性得到极大提高。

主权项

一种基于氧化锌薄膜的薄膜晶体管，包括半导体沟道层、源极、漏极、栅极以及栅绝缘层，其特征在于，所述的薄膜晶体管采用顶栅和交错电极结构，半导体沟道层为氧化锌薄膜，且栅绝缘层位于半导体沟道层与栅极之间，包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层与半导体沟道层直接接触。