发明名称 |
垂直式光电元件及其制法 |
摘要 |
垂直式光电元件,系包括:基板、设于该基板上的第一电极层、设于该第一电极层上的图案化绝缘层、设于该图案化绝缘层上的金属层、设于该第一电极层上的半导体层、以及设于该半导体层上的第二电极层,该半导体层系包覆该图案化绝缘层与金属层。本发明所构成之垂直式光感测元件系具有垂直式电晶体的低操作电压及光二极体的高反应速度两者之优点,且本发明亦可构成发光电晶体元件。本发明复提供一种垂直式光电元件之制法。 |
申请公布号 |
TWI533463 |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
TW100108872 |
申请日期 |
2011.03.16 |
申请人 |
国立交通大学 |
发明人 |
冉晓雯;孟心飞;蔡武卫;赵宇强 |
分类号 |
H01L31/10(2006.01);H01L31/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/10(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈昭诚 |
主权项 |
一种垂直式光电元件,系包括:基板;第一电极层,系设于该基板上;图案化绝缘层,系设于该第一电极层上;金属层,系设于该图案化绝缘层上;半导体层,系设于该第一电极层上,且包覆该图案化绝缘层与金属层;第二电极层,系设于该半导体层上,该基板或第二电极层系由透光材质所构成;以及发光层,系设于该半导体层与该第二电极层之间;其中,该半导体层之材质系由P型半导体与N型半导体所构成之混合物。
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地址 |
新竹市大学路1001号 |