| 发明名称 |
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROGRAM |
| 摘要 |
본 발명은 금속막의 일함수를 조정할 수 있는 기술을 제공한다. 처리실에 할로겐 원소를 함유하는 금속 원료와 질소 함유 원료를 교호적으로 공급하는 것과 함께, 질소 함유 원료를 처리실에 공급할 때에 질소 함유 원료와 함께 처리실에 공급되는 불활성 가스의 유량이 금속 원료를 처리실에 공급할 때에 금속 원료와 함께 처리실에 공급되는 불활성 가스의 유량보다 증가시켜진다. |
| 申请公布号 |
KR101618560(B1) |
申请公布日期 |
2016.05.09 |
| 申请号 |
KR20140186052 |
申请日期 |
2014.12.22 |
| 申请人 |
가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 |
发明人 |
나카타니 키미히코;하라다 카즈히로;아시하라 히로시 |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/285 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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