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Eine Halbleitervorrichtung (500) weist FinFET-Zellen vom Anreicherungs- und Verarmungstyp (TE, TD) auf. Die FinFET-Zellen vom Anreicherungstyp (TE) weisen erste Halbleiterfinnen (160a) trennende erste Gatestrukturen (150a) auf. Die FinFET-Zellen vom Verarmungstyp (TD) weisen zweite Halbleiterfinnen (160b) trennende zweite Gatestrukturen (150b) auf. Zwischen den ersten und zweiten Gatestrukturen (150a, 150b) trennt eine Verbindungsstruktur (180) die ersten Halbleiterfinnen (160a) von den zweiten Halbleiterfinnen (160b). Die Verbindungsstruktur (180) weist einen spezifischen Leitwert auf, der größer ist als ein spezifischer Leitwert in den zweiten Halbleiterfinnen (160b). |
