发明名称 显示装置及其制造方法
摘要 本发明的显示装置具备电路基板、像素驱动用TFT和驱动电路用TFT,其中,电路基板具有显示区域和非显示区域,像素驱动用TFT形成在显示区域中,用于驱动像素,具有:在绝缘膜上相互分隔地配置的源极电极和漏极电极;和由氧化物半导体形成的第一有源层,该第一有源层设置成从与绝缘膜相反的一侧覆盖源极电极与漏极电极之间的分隔部和与分隔部相邻的源极电极的一部分和漏极电极的一部分,驱动电路用TFT形成在非显示区域中,具有由非氧化物半导体形成的第二有源层,用于驱动像素驱动用TFT。
申请公布号 CN103765494B 申请公布日期 2016.05.04
申请号 CN201280041110.1 申请日期 2012.06.18
申请人 夏普株式会社 发明人 宫本忠芳;中野文树
分类号 G09F9/30(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 G09F9/30(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种显示装置,其特征在于:具备电路基板、像素驱动用TFT和驱动电路用TFT,所述电路基板具有:形成有多个像素的显示区域;和设置在该显示区域的周围外侧的非显示区域,所述像素驱动用TFT形成在所述电路基板的显示区域中,用于驱动所述像素,具有:在绝缘膜上相互分隔地配置的源极电极和漏极电极;和由氧化物半导体形成的第一有源层,该第一有源层设置成从与所述绝缘膜相反的一侧覆盖所述源极电极与所述漏极电极之间的分隔部和与该分隔部相邻的所述源极电极的一部分和所述漏极电极的一部分,所述驱动电路用TFT形成在所述电路基板的非显示区域中,具有由非氧化物半导体形成的第二有源层,用于驱动所述像素驱动用TFT,在所述电路基板的非显示区域形成有CMOS电路,该CMOS电路具有:由所述驱动电路用TFT构成的p沟道型TFT;和具有由所述氧化物半导体形成的第三有源层的n沟道型TFT,所述CMOS电路中的所述p沟道型TFT的第二有源层和所述n沟道型TFT的第三有源层,在从所述电路基板的表面的法线方向看时相互重叠,所述p沟道型TFT和所述n沟道型TFT具有共用的栅极电极。
地址 日本大阪府