薄膜晶体管传感器、其制造方法及薄膜晶体管传感器阵列

摘要

本发明涉及薄膜晶体管传感器、其制造方法及薄膜晶体管传感器阵列。根据本发明的方面，提供了一种薄膜晶体管(TFT)传感器，包括：在基板上的底栅电极；在所述底栅电极上的绝缘层；在所述绝缘层上的成环形的有源层，所述有源层包括由带电体产生的电流所流过的沟道；在所述有源层上的蚀刻阻止层，所述蚀刻阻止层包括第一接触孔和第二接触孔；以及掩埋所述第一接触孔和第二接触孔的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极彼此面对地布置在所述蚀刻阻止层上。

主权项

一种薄膜晶体管传感器，包括：在基板上的底栅电极；在所述底栅电极上的绝缘层；在所述绝缘层上的成环形的有源层，所述有源层包括由带电体产生的电流所流过的第一沟道和第二沟道并且包括用于分离所述第一沟道和所述第二沟道的孔；在所述有源层上的蚀刻阻止层，所述蚀刻阻止层包括第一接触孔和第二接触孔；掩埋所述第一接触孔和所述第二接触孔的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极彼此面对地布置在所述蚀刻阻止层上；以及在所述蚀刻阻止层上的第一顶栅电极和第二顶栅电极，所述第一顶栅电极和所述第二顶栅电极与所述源电极和所述漏电极在同一水平面上而不接触所述源电极和所述漏电极，所述第一顶栅电极和所述第二顶栅电极彼此面对并且控制分别流经所述第一沟道和所述第二沟道的电流，其中基于所述带电体相对于所述第一顶栅电极和所述第二顶栅电极的移动，流入所述第一沟道和所述第二沟道的电流的量发生变化，并且所述变化对应于所述带电体的触摸方向和触摸强度。