一种存储单元的操作方法及具有该存储单元的集成电路

摘要

本发明公开了一种介电电荷捕获存储单元阵列以及用于其中的编程、读取、擦除操作的方法，方法包括将位储存于邻近存储单元的电荷捕获区；位信息被储存于第一存储单元的第一电荷捕获区以及第二存储单元的第二电荷捕获区；将电荷储存于邻近存储单元的两个电荷捕获区可提高存储单元阵列的数据保持率，因各电荷捕获区可被读取以表示数据区储存的数据；各电荷捕获区可独立且平行被读取，因此可比较结果以决定储存于介电电荷捕获存储单元阵列中数据区的数据值。

主权项

一种操作存储单元的方法，用于操作位于一介电电荷捕获存储单元阵列中的存储单元，该介电电荷捕获存储单元阵列包括多条位线BL(i)以及多条字线WL(j)，其中i介于0到N之间，j介于1到M之间，该介电电荷捕获存储单元阵列包括多行存储单元以及多列存储单元，其中各该行存储单元置于各该位线BL(i)与各该位线BL(i+1)之间，各该列存储单元耦接至对应的各该字线WL(j)，各该存储单元具有一第一电荷捕获区及一第二电荷捕获区，该第一电荷捕获区邻近于各该位线BL(i+1)，且该第二电荷捕获区邻近于各该位线BL(i)，该方法包括：写入一第一数据值于选定的行地址AC(y)以及选定的列地址AR(x)的一逻辑单元，其中y介于1到N‑1之间，x介于1到M之间，写入该第一数据值的步骤是通过一编程操作以及一擦除操作，以设定该第一数据值对应的临界状态至位于该位线BL(y‑1)与该位线BL(y)之间的该第一电荷捕获区及位于该位线BL(y)与该位线BL(y+1)之间的该第二电荷捕获区；其中该逻辑单元是一介电电荷捕获存储单元，包括位于该位线BL(y‑1)与该位线BL(y)之间的该第一电荷捕获区及位于该位线BL(y)与该位线BL(y+1)之间的该第二电荷捕获区；以及读取一第二数据值于选定的行地址AC(y)以及选定的列地址AR(x)，其中y介于1到N‑1之间，x介于1到M之间，读取该第二数据值的步骤是通过感测位于该位线BL(y‑1)与该位线BL(y)之间的该第一电荷捕获区及位于该位线BL(y)与该位线BL(y+1)之间的该第二电荷捕获区的临界状态，并决定该第二数据值对应于所感测到最高的临界状态。