发明名称 |
二次电池及二次电池的制造方法 |
摘要 |
本发明的一个方式的目的是提供一种负极及使用该负极的二次电池。为了达到上述目的,在本发明的一个方式中,在负极活性物质层和负极集电体中设置多个凹凸。通过利用设置在负极活性物质层中的多个凹凸,可以吸收负极活性物质的膨胀,由此抑制其变形。另外,通过利用设置在负极集电体中的多个凹凸,可以抑制由于负极活性物质的膨胀及收缩导致的负极集电体的变形。 |
申请公布号 |
CN105552303A |
申请公布日期 |
2016.05.04 |
申请号 |
CN201510685917.4 |
申请日期 |
2015.10.21 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
后藤准也;元吉真子;佐藤结香;川上贵洋 |
分类号 |
H01M4/131(2010.01)I;H01M4/134(2010.01)I;H01M4/70(2006.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;H01M10/058(2010.01)I |
主分类号 |
H01M4/131(2010.01)I |
代理机构 |
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 |
代理人 |
张淑珍;王维玉 |
主权项 |
一种二次电池,所述二次电池包括:负极;正极;电解液;以及隔离体,其中,所述负极包括负极集电体及负极活性物质层,所述负极活性物质层包括含硅化合物,所述负极活性物质层包括第一凹凸及第二凹凸,所述负极集电体包括第三凹凸及第四凹凸,所述第一凹凸与所述第三凹凸彼此重叠,并且所述第二凹凸与所述第四凹凸彼此重叠。 |
地址 |
日本神奈川县 |