网状氮化硅薄膜微桥阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种网状氮化硅薄膜微桥阵列的制备方法。本发明首先在已抛光过的硅片表面上生成一层氮化硅薄膜，并在氮化硅薄膜上旋涂一层光刻胶，然后利用紫外光光刻技术将掩模图案转移到光刻胶上；接着以光刻胶图案作为掩膜图案刻蚀氮化硅薄膜，除去光刻胶，获得氮化硅薄膜微桥桥面图案；再然后以氮化硅薄膜图案作为电感耦合等离子刻蚀法的掩膜图案，待对硅片进行等离子刻蚀后，得到一种矩形腔体阵列；最后采用湿法刻蚀矩形腔体阵列的腔壁，形成一种以硅支柱结构支撑下的网状氮化硅薄膜微桥阵列。本发明不需要金属填充层，能够比较容易地控制支撑柱的高度，而且电感耦合等离子刻蚀与湿法刻蚀操作相对简单，整套工艺流程简单易行。

主权项

一种网状氮化硅薄膜微桥阵列的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)在抛光过的硅片表面上生成一层氮化硅薄膜，并旋涂一层光刻胶；(2)利用紫外光光刻技术将掩模图案转移到光刻胶上；(3)以光刻胶图案作为掩膜图案，使用氮化硅刻蚀液刻蚀氮化硅薄膜，除去光刻胶，获得氮化硅薄膜微桥桥面图案；(4)以氮化硅薄膜微桥桥面图案作为电感耦合等离子刻蚀法的掩膜图案，对硅片进行刻蚀，获得一种矩形腔体阵列；(5)通过湿法刻蚀贯穿矩形腔体阵列的腔壁，形成一种以硅支柱结构支撑下的网状氮化硅薄膜微桥阵列。