| 发明名称 | 一种存储单元的擦除方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储单元的擦除方法，其特征在于，包括：S1、接收编程操作指令；S2、对存储单元进行选择，选中的存储单元的字线以及位线接第一编程电压，未被选中的存储单元的字线悬空，位线接电压源；S3、对选中的存储单元的字线加编程脉冲；S4、对选中的存储单元的阱CWELL加擦除电压脉冲；S5、进行编程验证，如果验证成功则结束编程操作，否则执行步骤S2。本发明实施例提供的一种存储单元的擦除方法，在每次对存储单元编程后，通过在存储单元的阱上加擦除脉冲，以实现擦除掉存储单元表层俘获的电子，进而增强存储单元对数据的保持特性。 | ||
| 申请公布号 | CN105551524A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201510933666.7 | 申请日期 | 2015.12.15 |
| 申请人 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 发明人 | 刘会娟 |
| 分类号 | G11C16/16(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I;G11C16/24(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 胡彬;邓猛烈 |
| 主权项 | 一种存储单元的擦除方法，其特征在于，包括：S1、接收编程操作指令；S2、对存储单元进行选择，选中的存储单元的字线以及位线接第一编程电压，未被选中的存储单元的字线悬空，位线接电压源；S3、对选中的存储单元的字线加编程脉冲；S4、对选中的存储单元的阱CWELL加擦除电压脉冲；S5、进行编程验证，如果验证成功则结束编程操作，否则执行步骤S2。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 | ||