发明名称 |
Optoelektronischer Halbleiterchip |
摘要 |
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (3), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (5) und eine zwischen der mindestens einen n-dotierten Halbleiterschicht (3) und der mindestens einen p-dotierten Halbleiterschicht (5) angeordnete aktive Schicht (4), wobei die p-dotierte Halbleiterschicht (5) mittels einer ersten metallischen Anschlussschicht (8) elektrisch kontaktiert ist, und wobei zwischen der p-dotierten Halbleiterschicht (5) und der ersten Anschlussschicht (8) eine reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge (6) angeordnet ist, welche mehrere dielektrische Schichten (61, 62) mit verschiedenen Brechungsindizes aufweist. |
申请公布号 |
DE102014115740(A1) |
申请公布日期 |
2016.05.04 |
申请号 |
DE201410115740 |
申请日期 |
2014.10.29 |
申请人 |
OSRAM Opto Semiconductors GmbH |
发明人 |
Kopp, Fabian;Eichinger, Christian;Perzlmaier, Korbinian |
分类号 |
H01L33/40;H01L33/60;H01L33/62 |
主分类号 |
H01L33/40 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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