用于擦除内存器件的方法以及多级程序化内存器件

摘要

一种内存(150)，包含第一电荷储存区域(164A)，其系通过隔离区域(170)而与第二电荷储存区域(164B)隔开。提供用于擦除内存(150)的技术，其中，电子以富勒-诺得汉(Fowler-Nordheim；FN)隧穿方式穿出至少一个之电荷储存区域(164A)、(164B)而进入衬底(154)内，以擦除内存(150)的至少一个电荷储存区域。提供其它的技术，用于在多种不同阶(level)或状态下程序化单一的电荷储存区域。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底(154)；隔离区域(170)；第一电荷储存区域(164A)，包括富含硅的氮化物，其中，该第一电荷储存区域(164A)被配置成储存第一位和具有第一阈值电压的第二位；以及第二电荷储存区域(164B)，包括富含硅的氮化物，其中，该第二电荷储存区域(164B)是通过该隔离区域(170)而与该第一电荷储存区域(164A)隔开，其中，该第二电荷储存区域(164B)被配置成储存第一附赠位1和第二附赠位1，其中，当该第一和第二位被程序化时，配置隔离区域(170)以防止该第一和第二附赠位1的第二阈值电压的扰动。