| 发明名称 | 一种氮化硼纳米孔传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及基于固态纳米孔的分子或离子探测技术领域，尤其涉及一种氮化硼纳米孔传感器及其制造方法。氮化硼纳米孔传感器，其特征在于，包括基材，以及设置在基材上的氮化硼薄膜，所述氮化硼薄膜上设置有纳米孔，所述基材上设置有与所述纳米孔连通的通孔。本申请通过在原子层厚度的氮化硼薄膜上设置纳米孔，且经过处理后的氮化硼薄膜具有良好的亲水性，进而提高了纳米孔传感器的亲水性。 | ||
| 申请公布号 | CN103868969B | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201410051811.4 | 申请日期 | 2014.02.14 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 周智;胡颖;单欣岩;陆兴华 |
| 分类号 | G01N27/403(2006.01)I;B82Y15/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | G01N27/403(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人 | 王艺 |
| 主权项 | 一种氮化硼纳米孔传感器，其特征在于，包括基材，以及设置在基材上的氮化硼薄膜，所述氮化硼薄膜上设置有纳米孔，所述基材上设置有与所述纳米孔连通的通孔，其中，所述氮化硼纳米孔经紫外‑臭氧清洗机处理，然后再组装芯片测试应用。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街八号 | ||