主动元件

摘要

本发明是有关于一种主动元件，配置于一基板上。主动元件包括一金属层、一半导体通道层、一绝缘层、一源极以及一漏极。金属层具有一远离基板的金属氧化物表面。绝缘层配置于金属层与半导体通道层之间。源极与漏极配置于半导体通道层的一侧。半导体通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。金属层在基板上的正投影至少覆盖被源极与漏极所暴露出半导体通道层的部分在基板上的正投影。

主权项

一种主动元件，配置于一基板上，其特征在于该主动元件包括：一金属层，具有一远离该基板的金属氧化物表面，其中该金属氧化物表面的氧含量由该金属层远离该基板的一侧朝向该金属层邻近该基板的另一侧逐渐递减；一半导体通道层；一绝缘层，配置于该金属层与该半导体通道层之间；一源极，配置于该半导体通道层的一侧；以及一漏极，配置于该半导体通道层的该侧，其中该半导体通道层的一部分暴露于该源极与该漏极之间，且该金属层在该基板上的正投影至少覆盖被该源极与该漏极所暴露出该半导体通道层的该部分在该基板上的正投影。