发明名称 硫化氢气敏材料及其制备以及硫化氢气敏器件的制备方法
摘要 本发明涉及一种硫化氢气敏材料及其制备以及硫化氢气敏器件的制备方法,所述硫化氢气敏材料包括基质NaBi(MoO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>纳米粉体和RuO<sub>2</sub>,其中RuO<sub>2</sub>掺入量为基质NaBi(MoO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>纳米粉体质量的0.1-3%。该材料的制备方法为:1)分别配制硝酸铋、钼酸钠水溶液,将两者按一定比例混合均匀并调节pH得混合溶液,将混合溶液转移至反应釜中进行水热反应,反应产物经抽滤、洗涤、干燥、烧结得基质NaBi(MoO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>纳米粉体;2)向NaBi(MoO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>纳米粉体中加入一定比例的RuCl<sub>3</sub>·3H<sub>2</sub>O,然后精细研磨得硫化氢气敏胚料,硫化氢气敏胚料经退火处理得到硫化氢气敏材料。本发明提供的硫化氢气敏材料对硫化氢气体的灵敏度高、响应-恢复快、长期稳定性好,符合硫化氢气敏器件标准要求。
申请公布号 CN105548263A 申请公布日期 2016.05.04
申请号 CN201610066172.8 申请日期 2016.01.29
申请人 武汉工程大学 发明人 张芳;林志东;吴梦婷
分类号 G01N27/00(2006.01)I 主分类号 G01N27/00(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 崔友明
主权项 一种硫化氢气敏材料,其特征在于包括基质NaBi(MoO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>纳米粉体和RuO<sub>2</sub>,其中RuO<sub>2</sub>掺入量为基质NaBi(MoO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>纳米粉体质量的0.1‑3%。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号