发明名称 |
基于碳化硅肖特基二极管的Spice模型及其构建方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于碳化硅肖特基二极管的Spice模型及其构建方法,模型包括:压控电容,用于表示碳化硅肖特基二极管的耗尽层电容;压控电阻,与所述压控电容并联,用于表示所述碳化硅肖特基二极管的耗尽层电流;压控体电阻,与所述压控电容和所述压控电阻并联的节点串联,用于表示所述碳化硅肖特基二极管的体电阻;以及接触电阻,与所述压控体电阻串联。本发明具有如下优点:得到的二极管动态曲线同实验数据匹配良好。此模型可以用于准确评估二极管的动态性能,同时可以用于指导碳化硅肖特基二极管的设计及应用。 |
申请公布号 |
CN105550482A |
申请公布日期 |
2016.05.04 |
申请号 |
CN201610097403.1 |
申请日期 |
2016.02.23 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
岳瑞峰;周新田;王燕 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
张大威 |
主权项 |
一种基于碳化硅肖特基二极管的Spice模型,其特征在于,包括:压控电容,用于表示碳化硅肖特基二极管的耗尽层电容;压控电阻,与所述压控电容并联,用于表示所述碳化硅肖特基二极管的耗尽层电流;压控体电阻,与所述压控电容和所述压控电阻并联的节点串联,用于表示所述碳化硅肖特基二极管的体电阻;以及接触电阻,与所述压控体电阻串联。 |
地址 |
100084 北京市海淀区100084-82信箱 |