发明名称 基于碳化硅肖特基二极管的Spice模型及其构建方法
摘要 本发明公开了一种基于碳化硅肖特基二极管的Spice模型及其构建方法,模型包括:压控电容,用于表示碳化硅肖特基二极管的耗尽层电容;压控电阻,与所述压控电容并联,用于表示所述碳化硅肖特基二极管的耗尽层电流;压控体电阻,与所述压控电容和所述压控电阻并联的节点串联,用于表示所述碳化硅肖特基二极管的体电阻;以及接触电阻,与所述压控体电阻串联。本发明具有如下优点:得到的二极管动态曲线同实验数据匹配良好。此模型可以用于准确评估二极管的动态性能,同时可以用于指导碳化硅肖特基二极管的设计及应用。
申请公布号 CN105550482A 申请公布日期 2016.05.04
申请号 CN201610097403.1 申请日期 2016.02.23
申请人 清华大学 发明人 岳瑞峰;周新田;王燕
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 张大威
主权项 一种基于碳化硅肖特基二极管的Spice模型,其特征在于,包括:压控电容,用于表示碳化硅肖特基二极管的耗尽层电容;压控电阻,与所述压控电容并联,用于表示所述碳化硅肖特基二极管的耗尽层电流;压控体电阻,与所述压控电容和所述压控电阻并联的节点串联,用于表示所述碳化硅肖特基二极管的体电阻;以及接触电阻,与所述压控体电阻串联。
地址 100084 北京市海淀区100084-82信箱