基于双层SIW的双通带微波滤波器

摘要

本发明涉及一种基于双层SIW的双通带微波滤波器，包括上金属镀层、上介质板层、中金属镀层、下介质板层以及下金属镀层，上金属镀层和上介质板层组成上层基片集成波导，下介质板层和下金属镀层组成下层基片集成波导，在上介质板层和下介质板层之间设置有中金属镀层，使得上下两层基片集成波导共用中金属镀层；上层基片集成波导的中间设有两个耦合的方形上层SIW谐振腔，两个上层SIW谐振腔由两腔体间的感性耦合窗口连接，上金属镀层两端连接有共面波导式的输入输出端口；下层基片集成波导中间设有两个方形下层SIW谐振腔，两个下层SIW谐振腔之间不耦合；中金属镀层上设有四个磁性耦合窗口，两个下层SIW谐振腔通过四个磁性耦合窗口与两个上层SIW谐振腔耦合。

主权项

一种基于双层SIW的双通带微波滤波器，其特征在于，该滤波器由两层基片集成波导构成，包括五层结构：上金属镀层（1）、上介质板层（2）、中金属镀层（3）、下介质板层（4）以及下金属镀层（5），所述上金属镀层（1）和上介质板层（2）组成上层基片集成波导，所述下介质板层（4）和下金属镀层（5）组成下层基片集成波导，在上介质板层（2）和下介质板层（4）之间设置有中金属镀层（3），使得上下两层基片集成波导共用中金属镀层（3）；所述上层基片集成波导的中间设有两个耦合的方形上层SIW谐振腔（1‑1），两个上层SIW谐振腔（1‑1）由两腔体间的感性耦合窗口（6）连接，所述上金属镀层（1）两端连接有共面波导式的输入输出端口（1‑2）；所述下层基片集成波导中间设有两个方形下层SIW谐振腔（3‑1），两个下层SIW谐振腔（3‑1）之间不耦合；所述中金属镀层（3）上设有四个磁性耦合窗口（7），所述两个下层SIW谐振腔（3‑1）通过四个磁性耦合窗口（7）与两个上层SIW谐振腔（1‑1）耦合。