| 发明名称 | 一种酞菁类化合物及其合成方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种酞菁类化合物，具有如式I所示结构，其中A表示过渡金属或稀土金属；R1表示苯基、萘基、C<sub>4</sub>-C<sub>16</sub>的正构烷基。本发明提供的式I结构酞菁芳类化合物含过渡金属或稀土金属，并在线性延伸的π-共轭体系中引入周边取代基。其在400℃以下相对更稳定，在真空中也易蒸发形成均匀的薄膜，具有良好的热稳定性、高的化学稳定性和高迁移率。所述有机半导体器件具有较快的开关速度，较高的开关比，可靠性强等特点。<img file="DDA0000933538790000011.GIF" wi="1624" he="751" /> | ||
| 申请公布号 | CN105541850A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201610118563.X | 申请日期 | 2016.03.02 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 高雪;刘飞;张粲 |
| 分类号 | C07D487/22(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 主分类号 | C07D487/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王文君 |
| 主权项 | 一种酞菁类化合物，其特征在于，具有如式I所示结构，<img file="FDA0000933538770000011.GIF" wi="1627" he="752" />其中，A表示过渡金属或稀土金属；R1表示苯基、萘基、C<sub>4</sub>‑C<sub>16</sub>的正构烷基。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||