| 发明名称 | 具有增强磁阻比的磁换能器 | ||
| 摘要 | 本发明的各实施例一般涉及磁响应叠层，其通过在第一和第二铁磁自由层之间设置间隔层来构造。至少一个铁磁自由层具有耦合子层，该耦合子层增强该磁响应叠层的磁阻比(MR)。 | ||
| 申请公布号 | CN103021423B | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201210478642.3 | 申请日期 | 2012.09.21 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | M·W·科温顿;Q·何;丁元俊;V·A·瓦斯科 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/39(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 毛力 |
| 主权项 | 一种磁传感器，包括：设置在第一和第二铁磁自由层之间的非磁性间隔层的磁响应叠层，至少一个铁磁自由层具有增强磁阻比(MR)的耦合子层，该耦合子层包括与所述至少一个铁磁自由层不同的材料。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||