| 发明名称 | 晶体材料、制备方法以及含有该晶体材料的热电材料、其制备方法及热电转换器和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶体材料、其制备方法及含有该晶体材料的热电材料及其制备方法。该晶体材料分子通式为TmCu<sub>3(1-x)</sub>Te<sub>3</sub>，x代表Cu的空位含量，0＜x≤0.1。该晶体材料为纯相结构，具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异，热导率为0.86W/m·K，电导可达571S/cm，塞贝克系数可达108V/K。可通过调节TmCu<sub>3(1-x)</sub>Te<sub>3</sub>体系中Cu空位改变载流子浓度，从而优化其热电优值ZT，使ZT在850K时大于0.45，甚至可达0.65，比未优化的性能提高了44.4％，可与目前被广泛研究甚至商业化的高温热电材料相媲美。 | ||
| 申请公布号 | CN105552202A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201510894693.8 | 申请日期 | 2015.12.08 |
| 申请人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明人 | 吴立明;林华;陈玲 |
| 分类号 | H01L35/16(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I | 主分类号 | H01L35/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人 | 刘元霞;牛艳玲 |
| 主权项 | 一种晶体材料，其特征在于，所述晶体材料的结构为TmCu<sub>3(1‑x)</sub>Te<sub>3</sub>，其中，0＜x≤0.1。 | ||
| 地址 | 350002 福建省福州市杨桥西路155号 | ||