基于自支撑GaN衬底的高In组分InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池及其制法

摘要

本发明提供了基于自支撑GaN衬底的高In组分InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池及其制法，太阳能电池由自支撑GaN衬底、GaN缓冲层、n型掺杂GaN层、高In组分的InGaN/GaN量子阱层、p型掺杂GaN层和P型电极依次层叠构成。采用自支撑GaN衬底来生长外延层，并在量子阱层中采用高In组分；采用干法刻蚀的方法制作n型掺杂GaN 层台面，在台面上形成N型电极；采用光刻、镀膜等方法制作在p型掺杂GaN层之上形成P型电极。本发明可大幅提高所述太阳能电池的性能；采用自支撑GaN衬底，有效减少晶格失配，采用RF-MBE技术生长高质量的高In组分InGaN，大大提高太阳能电池的吸光范围。

主权项

基于自支撑GaN衬底的高In组分InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池，其特征在于包括：一自支撑GaN衬底；一GaN缓冲层，该GaN缓冲层制作在自支撑GaN衬底上；一n型掺杂GaN层，该n型掺杂GaN层制作在GaN缓冲层上面，该n型掺杂GaN层的上部一侧为台面结构，台面高度低于n型掺杂GaN层顶部的表面；一高In组分的InGaN/GaN量子阱层，该高In组分的InGaN/GaN量子阱层制作在n型掺杂GaN层顶部上；一p型掺杂GaN层，其制作在高In组分的InGaN/GaN量子阱层上面；一N型欧姆接触电极，其制作在n型掺杂GaN层所述台面上；一P型欧姆接触电极，其制作在p型掺杂GaN层上面。