发明名称 |
平面肖特基势垒二极管 |
摘要 |
一种平面肖特基势垒二极管,包括N型重掺杂硅衬底、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂环区、薄氧化层、场氧化层、肖特基势垒层、多层金属层;其特征在于在P型重掺杂环区外侧的N型轻掺杂外延层中设置有P型轻掺杂环区,薄氧化层位于P型重掺杂环区和P型轻掺杂环区上面,场氧化层位于部分P型轻掺杂环区上方及其外侧的N型轻掺杂外延层上方,肖特基势垒层形成于在部分P型重掺杂环区上面及N型轻掺杂外延层上面。本发明二极管可有效提高P型重掺杂环区的耐压效率,进而可以通过降低P型重掺杂环区的结深,进一步增强肖特基势垒区的表面电场,从而提高平面肖特基势垒的抗雷击能力,并能够降低正向导通压降、提高正向浪涌能力。 |
申请公布号 |
CN105552119A |
申请公布日期 |
2016.05.04 |
申请号 |
CN201510946666.0 |
申请日期 |
2015.12.17 |
申请人 |
扬州国宇电子有限公司 |
发明人 |
马文力;杨勇;谭德喜;姚伟明;付国振 |
分类号 |
H01L29/73(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/73(2006.01)I |
代理机构 |
苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司 32261 |
代理人 |
胡思棉 |
主权项 |
一种平面肖特基势垒二极管,其包括N型重掺杂硅衬底、在所述N型重掺杂硅衬底上生长的N型轻掺杂外延层、在所述N型轻掺杂外延层中设置有P型重掺杂环区、位于所述P型重掺杂环区上面的薄氧化层、位于所述薄氧化层外侧的场氧化层、位于薄氧化层内侧的肖特基势垒层,位于所述场氧化层、薄氧化层、肖特基势垒层上面的多层金属层,及位于所述N型重掺杂硅衬底下面的多层金属层,其特征在于在在所述P型重掺杂环区外侧的所述N型轻掺杂外延层中设置有P型轻掺杂环区,所述薄氧化层位于所述P型重掺杂环区和所述P型轻掺杂环区上面,所述场氧化层位于部分所述P型轻掺杂环区上方及所述P型轻掺杂环区外侧的N型轻掺杂外延层上方,所述肖特基势垒层形成于部分所述P型重掺杂环区上面及所述N型轻掺杂外延层上面。 |
地址 |
225101 江苏省扬州市经济技术开发区吴州东路188号 |