| 发明名称 | 离子注入机台的测试方法 | ||
| 摘要 | 一种离子注入机台的测试方法，用于测试离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中多晶硅表面生长的氧化层的厚度稳定，所述测试方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面形成氧化物层，从而使所述晶圆成为测试晶圆；将所述测试晶圆放置到离子注入机台的离子注入腔室中；在所述离子注入腔室中对所述测试晶圆进行离子注入；在所述离子注入后，测量所述氧化物层的电荷，根据所述电荷判断离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入。所述测试方法能够准确判断离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中多晶硅表面生长的氧化层的厚度稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN105551992A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201510963714.7 | 申请日期 | 2015.12.18 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 姚雷;张凌越;朱云;国子明;范世炜;郭国超 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴圳添;吴敏 |
| 主权项 | 一种离子注入机台的测试方法，用于测试离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中多晶硅表面生长的氧化层的厚度稳定，其特征在于，包括：提供晶圆；在所述晶圆表面形成氧化物层，从而使所述晶圆成为测试晶圆；将所述测试晶圆放置到离子注入机台的离子注入腔室中；在所述离子注入腔室中对所述测试晶圆进行离子注入；在所述离子注入后，测量所述氧化物层的电荷，根据所述电荷判断所述离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中所述多晶硅表面生长的所述氧化层的厚度稳定。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||