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자기 터널 정션의 라인 형성 방법은, 기판 위에 자기 레코딩 물질을, 상기 레코딩 물질 위에 비자성 물질을, 그리고 상기 비자성 물질 위에 자기 기준 물질을 형성하는 단계를 포함한다. 기판은 적어도 하나의 단면을 따라 절연체 물질 및 반응 소스 물질의 교번 외측 영역을 가진다. 반응 소스 물질은 한 세트의 온도 및 압력 조건에 놓일 때 유전 물질을 형성하도록 레코딩 물질과 반응하는 반응물을 포함한다. 기준 물질은 교번 외측 영역들 위를 거치는 종방향으로 기다란 라인으로 패턴처리된다. 레코딩 물질은 한 세트의 온도 및 압력 조건에 놓여 반응 소스 물질의 반응물과 반응하게 되어, 라인을 따라 레코딩 물질과 종방향으로 교번되는 유전 물질의 영역을 형성하게 되고, 라인을 따라 자기 터널 정션을 형성하게 되며, 상기 정션은 종방향으로 유전 물질 영역 사이에 놓인 레코딩 물질, 비자성 물질, 및 기준 물질을 개별적으로 포함한다. 다른 방법과, 방법에 독립적인 자기 터널 정션의 라인들이 개시된다. |
