发明名称 一种消除晶圆表面电镀空洞缺陷的方法
摘要 本发明公开了一种消除晶圆表面电镀空洞缺陷的方法,通过在对晶圆表面的沟槽或通孔进行电镀填充时,采用电流方向可控的电路,以形成电流大小和方向可调的电路,交替对晶圆施加正向和反向电流,形成电镀/刻蚀序列,使得在电镀过程中,不仅可以在晶圆表面进行电镀,也可以将晶圆表面的镀膜进行解离,以得到较好的台阶覆盖率和好的沟槽(通孔)开口,形成完美的填充过程,从而可减少填充过程中形成的空洞缺陷。
申请公布号 CN105552022A 申请公布日期 2016.05.04
申请号 CN201610088974.9 申请日期 2016.02.17
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 苏亚青;文静;张传民
分类号 H01L21/768(2006.01)I;C25D3/38(2006.01)I;C25D5/18(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;陈慧弘
主权项 一种消除晶圆表面电镀空洞缺陷的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:提供一晶圆,所述晶圆表面形成有沟槽或通孔;步骤二:利用一直流电镀槽,将晶圆作为电镀阴极,对其施加正向电流,对晶圆表面的沟槽或通孔进行以填充为目的的电镀;步骤三:当沟槽或通孔的开口被镀膜填充而闭合时,将晶圆作为电镀阳极,对其施加反向电流,利用反向电流产生的解离作用,对沟槽或通孔开口处的镀膜形成刻蚀,以将沟槽或通孔的开口重新打开;步骤四:将晶圆作为电镀阴极,对其施加正向电流进行电镀,以使沟槽或通孔打开的开口再次被镀膜填充而闭合。
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