发明名称 一种条纹变像管的制备方法
摘要 本发明涉及光电器件技术领域,尤其涉及一种条纹变像管的制作方法。该条纹变像管的制作方法包括:1)组件准备、2)组件装调、3)阴极制作,其改进之处是:还包括步骤4)转移铟封;采用转移系统热铟封制作条纹变像管可极大地避免光电阴极制作过程中阴极蒸发源对器件其他电极组件的污染,进而降低噪声,提高光电阴极的均匀性以及条纹变像管的动态范围。采用独特的真空密封结构可提高器件真空密封的成功率。该专利所涉及方法还可用于光电倍增管、像增强器、增强型图像耦合器等各种真空光电器件的研究和生产。
申请公布号 CN105551913A 申请公布日期 2016.05.04
申请号 CN201510941402.6 申请日期 2015.12.15
申请人 中国科学院西安光学精密机械研究所 发明人 王兴;田进寿;白永林;赛小峰;段东平;卢裕;徐向宴;韦永林;雷鸣轩;张铁;董改云;王俊锋;温文龙;刘虎林;辛丽伟
分类号 H01J9/32(2006.01)I;H01J9/12(2006.01)I;H01J31/50(2006.01)I 主分类号 H01J9/32(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人 杨引雪
主权项 一种条纹变像管的制备方法,包括以下步骤:1)组件准备、2)组件装调、3)阴极制作,其特征在于:还包括步骤4)转移铟封;所述转移铟封的具体步骤是:4.1)化铟;将铟封腔室的温度设置为120°至130°之间,等待温度稳定后,观察铟封腔室内管壳顶部铟封环内铟锡合金的融化状态,待铟锡合金呈液体状,则进行步骤4.2);反之继续等待;4.2)阴极转移与铟封;将输入端通过磁力传递杆从阴极制作室转移至铟封腔室,观察输入端边缘的上铟封结构以及管壳顶端的下铟封结构,保证两者对齐后将输入端缓慢落下,使得上铟封结构浸入到填充有铟锡合金的下铟封结构内部,将输入端与管壳固定连接;4.3)对铟封腔室开始降温,铟锡合金凝固,条纹变像管制作完成。
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