| 发明名称 | 一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置，所述方法具体包括以下步骤：在InSb衬底上生长InAlSb薄膜，测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ<sub>InAlSb测量</sub>；对所述θ<sub>InAlSb测量</sub>进行修正，得到θ<sub>InAlSb修正</sub>；根据θ<sub>InAlSb修正</sub>得到所述InAlSb薄膜的点阵常数a<sub>InAlSb</sub>；根据InSb的点阵常数a<sub>InSb</sub>、AlSb的点阵常数a<sub>AlSb</sub>，以及所述a<sub>InAlSb</sub>得到所述InAlSb薄膜中铝组分的含量，本发明的方法和装置能够在不损伤样品的前提下方便快捷的测定InAlSb薄膜中铝组分含量，测试结果也较为精确。 | ||
| 申请公布号 | CN105548227A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201511029165.2 | 申请日期 | 2015.12.31 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 发明人 | 周朋;刘铭;折伟林;邢伟荣;尚林涛 |
| 分类号 | G01N23/207(2006.01)I | 主分类号 | G01N23/207(2006.01)I |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人 | 梁军 |
| 主权项 | 一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法，其特征在于，包括以下步骤：在InSb衬底上生长InAlSb薄膜，测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ<sub>InAlSb测量</sub>；对所述θ<sub>InAlSb测量</sub>进行修正，得到θ<sub>InAlSb修正</sub>；根据θ<sub>InAlSb修正</sub>得到所述InAlSb薄膜的点阵常数a<sub>InAlSb</sub>；根据InSb的点阵常数a<sub>InSb</sub>、AlSb的点阵常数a<sub>AlSb</sub>，以及所述a<sub>InAlSb</sub>得到所述InAlSb薄膜中铝组分的含量。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号 | ||