基于金属钼基底的场致电子发射阴极阵列及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于金属钼基底的场致电子发射阴极阵列及其制作方法，本发明在金属钼基底上首先形成刻蚀掩膜，之后利用刻蚀掩膜对金属钼基底进行高密度离子体干法刻蚀，形成金属钼尖锥，本发明通过在基底上直接形成钼尖锥，彻底解决了与衬底粘附性差的问题，能够承受大电流和强电场。通过高密度离子体干法刻蚀法可以实现对金属钼体材料的高速率、各向同性刻蚀，从而可以同时得到大面积形貌一致的钼尖锥阵列，利于实现大面积的均匀发射。本发明的场致电子发射阴极阵列的制作工艺中仅包含一次光刻，实现了尖锥中心和栅孔中心的无偏差自对准。与现有工艺相比，本发明的技术方案工序少，具有高效、简单和低成本的特点，适合大规模制备。

主权项

一种基于金属钼基底的场致电子发射阴极阵列的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在金属钼基底上形成刻蚀掩膜，并利用所述刻蚀掩膜对所述金属钼基底进行高密度离子体干法刻蚀，形成金属钼尖锥，之后将所述金属钼尖锥的尖部上的所述刻蚀掩膜去除；其中所述刻蚀掩膜包括形成在所述金属钼基底上的绝缘层以及形成在所述绝缘层上的栅极层。