| 发明名称 | 用于TSV铜附着的Z形结构 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种用于TSV铜附着的Z形结构及其形成系统和方法。优选的实施例包括与半导体管芯的最上层金属层的部分相接触的TSV。TSV导体和接触衬垫之间的分界面优选表现为非平面的Z形结构，其形成了接触点的网格结构。可选择的，接触点可能形成与接触衬垫相接触的多个金属线。 | ||
| 申请公布号 | CN101714539B | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN200910173952.2 | 申请日期 | 2009.09.24 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈志华;陈承先;郭正铮;沈文维 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，其具有第一导电物件；在所述第一导电物件之上的钝化层；第一接触衬垫，其延伸穿过所述钝化层中的多个开口以形成与所述第一导电物件的多个间断接触；阻挡层，部分位于所述第一接触衬垫之上；以及导电材料，位于所述阻挡层之上，所述第一接触衬垫为硅通孔接触衬垫(301)，所述钝化层为第一钝化层(201)，所述硅通孔接触衬垫在第一钝化层(201)之上共形地形成，所述硅通孔的开口(501)位于所述硅通孔接触衬垫(301)之外侧。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||