II-VI族化合物半导体多晶的合成方法

摘要

本发明提供II-VI族化合物半导体多晶的合成方法，其中，即使不使用石英安瓿作为多晶合成中使用的容器，也可以进行合成，由此在不降低收率的情况下，可以实现容器的大型化，实现成本降低。其中，将两种以上原料元素放入到半密闭型pBN制内侧容器(6a)内，进而将该内侧容器放入到半密闭型耐热性外侧容器(6b)中，并配置在具有加热机构(7)的高压炉(1)内，对高压炉内进行排气并用规定压力的惰性气体充满后，利用加热机构加热外侧容器和内侧容器使其升温，使内侧容器内的原料元素熔解、反应后，缓慢降低温度，由此使多晶生长。

主权项

II‑VI族化合物半导体多晶的合成方法，其特征在于，准备由下端封闭、上端开口的内侧主体和与上述内侧主体的上端的轮廓相同的板状的内侧盖体构成的pBN制的内侧容器，由下端封闭、上端开口的外侧主体、与上述外侧主体的上端的轮廓相同的板状的外侧盖体构成、上述外侧主体的上端至该外侧容器的内侧空间的底的距离与上述内侧容器的上述内侧主体的下端至上述内侧盖体的上端的距离相等的耐热性的半密闭型外侧容器，将两种以上原料元素放入到上述内侧容器的内侧主体内，将上述内侧盖体盖于上述内侧主体的上端，进而将上述内侧容器放入到上述外侧容器的外侧主体中，将上述外侧盖体盖于上述外侧主体的上端并固定，将放入有内侧容器的上述外侧容器配置在具有加热机构的高压炉内，对所述高压炉内进行排气并用规定压力的惰性气体充满后，利用所述加热机构加热所述外侧容器和内侧容器使其升温，使所述内侧容器内的原料元素熔解、反应后，缓慢降低温度，由此使多晶生长。