半导体集成器件形成方法

摘要

一种半导体集成器件形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和与第一区域相对的第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面依次形成有第一层氧化硅层、第一多晶硅层、第二层氧化硅层，所述第二区域的半导体衬底表面形成有隔离层；利用同一形成工艺，在所述第二层氧化硅层和隔离层表面形成第二多晶硅层；去除所述第一区域的部分的第二多晶硅层、第二层氧化硅层、第一多晶硅层、第一层氧化硅层，形成分栅式闪存；去除所述第二区域的部分的第二多晶硅层，形成多晶硅电阻。所述多晶硅电阻中的多晶硅层是与分栅式闪存的控制栅是在同一形成工艺中形成的，节省了刻蚀、沉积步骤，提高了工艺集成度。

主权项

一种半导体集成器件形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和与第一区域相对的第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面形成有第一层氧化硅层，所述第一层氧化硅层表面形成有第一多晶硅层，所述第一多晶硅层表面形成有第二层氧化硅层，所述第二区域的半导体衬底表面形成有隔离层；利用同一形成工艺，在所述第二层氧化硅层和隔离层表面形成第二多晶硅层；去除所述第一区域的部分的第二多晶硅层、第二层氧化硅层、第一多晶硅层、第一层氧化硅层，直至暴露出所述半导体衬底，形成第一沟槽，在所述第一沟槽内依次形成氧化硅侧墙、隧穿氧化层、多晶硅字线，形成分栅式闪存；去除所述第二区域的部分的第二多晶硅层，形成多晶硅电阻；还包括：利用同一形成工艺形成覆盖所述第二区域的第二多晶硅层表面的掩膜层和覆盖所述第一区域的第二多晶硅层表面的牺牲氮化硅层；其中，形成所述分栅式闪存的具体步骤包括：所述牺牲氮化硅层内形成有开口，沿所述开口，分步对所述第一层氧化硅层、第一多晶硅层、第二层氧化硅层、第二多晶硅层进行第一刻蚀，直到暴露出所述半导体衬底，形成第一沟槽；在所述第一层氧化硅层、第一多晶硅层、第二层氧化硅层、第二多晶硅层、牺牲氮化硅层侧壁表面形成氧化硅侧墙，在所述氧化硅侧墙之间的第二沟槽的侧壁和底部表面形成隧穿氧化层，利用多晶硅填充所述第二沟槽形成多晶硅字线；对所述第一区域的牺牲氮化硅层、第一层氧化硅层、第一多晶硅层、第二层氧化硅层和第二多晶硅层进行第二刻蚀直至暴露出半导体衬底，形成分栅式闪存。