一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的方法及其设备

摘要

本发明公开了一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的方法，依次包括如下步骤：S1：将电池片在第一温度下进行高光照处理，持续第一时间；S2：将电池片在第二温度下进行高光照处理，持续第二时间；S3：将电池片在第三温度下进行高光照处理，持续第三时间；其中，第二时间长于第一时间和第二时间，高光照处理的光照强度范围为1×10³w/m²~3×10⁶w/m²。本发明还公开了一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的设备，包括：传输轨道，用于输送电池片；以及沿输送路径依次设置的第一光照区、第二光照区以及第三光照区。本发明可以极大程度上、甚至完全消除与光致衰减相关的复合中心，从而抑制衰减，实现电池的高效和高可靠性。

主权项

一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的方法，其特征在于：依次包括如下步骤：S1：将电池片在第一温度下进行高光照处理，持续第一时间；S2：将电池片在第二温度下进行高光照处理，持续第二时间；S3：将电池片在第三温度下进行高光照处理，持续第三时间；其中，第二时间长于第一时间和第二时间，高光照处理的光照强度范围为1×10³w/m²~3×10⁶w/m²。