| 发明名称 | 一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐变层、重掺杂的P型铟镓砷基区层和N型磷化铟发射区层，能带渐变层为四层结构，能带渐变层一至三为N型In<sub>(1-x)</sub>Ga<sub>x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>(1-y)</sub>材料，从集电区层向基区层，其各层之间的组分渐变，能带渐变层四为非掺的InGa<sub>x</sub>As材料。本实用新型结构基区还具有更高的空穴浓度和更薄的厚度。本实用新型结构异质结界面处不存在导带尖峰，电子渡越时间更短，该结构制成的晶体管具有更高的频率性能。 | ||
| 申请公布号 | CN205211759U | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201521028024.4 | 申请日期 | 2015.12.10 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 张宇;陈宏泰;车相辉;林琳;位永平;王晶;郝文嘉;于浩 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/737(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 李荣文 |
| 主权项 | 一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底(1)向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层(3)、能带渐变层、重掺杂的P型铟镓砷基区层(8)和N型磷化铟发射区层(9)，其特征在于，所述能带渐变层为四层，其中能带渐变层一(4)、能带渐变层二(5)和能带渐变层三(6)为组分比例不同的N型InGaAsP材料，能带渐变层四(7)为非掺的InGa<sub>0.47</sub>As材料，能带渐变层一(4)、能带渐变层二(5)和能带渐变层三(6)的厚度均为20‑40nm，能带渐变层四(7)的厚度为30‑50nm。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||