发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
摘要 | 一种晶体管的形成方法,包括:提供的衬底包括基底、位于基底表面的鳍部、以及位于基底表面的隔离层,所述隔离层覆盖部分鳍部的侧壁表面,且所述隔离层的表面低于所述鳍部的顶部表面;形成栅极层、掩膜层和保护层,所述栅极层横跨在所述鳍部上,且所述栅极层位于部分隔离层表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面,所述掩膜层位于所述栅极层的顶部表面,所述栅极层包括第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁平行于所述鳍部的长度方向,所述第二侧壁垂直于所述鳍部的长度方向,所述保护层位于所述第一侧壁靠近顶部的部分表面;在所述保护层表面以及栅极层的侧壁形成侧墙;在所述侧墙和栅极层两侧的鳍部内形成应力层。所形成的晶体管形貌良好、性能改善。 | ||
申请公布号 | CN105551958A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
申请号 | CN201410599013.5 | 申请日期 | 2014.10.30 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵杰 |
分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
主权项 | 一种晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底包括基底、位于基底表面的鳍部、以及位于基底表面的隔离层,所述隔离层覆盖部分鳍部的侧壁表面,且所述隔离层的表面低于所述鳍部的顶部表面;形成栅极层、掩膜层和保护层,所述栅极层横跨在所述鳍部上,且所述栅极层位于部分隔离层表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面,所述掩膜层位于所述栅极层的顶部表面,所述栅极层包括第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁平行于所述鳍部的长度方向,所述第二侧壁垂直于所述鳍部的长度方向,所述保护层位于所述第一侧壁靠近顶部的部分表面;在所述保护层表面以及栅极层的侧壁形成侧墙;在所述侧墙和栅极层两侧的鳍部内形成应力层。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |