发明名称 晶体管的形成方法
摘要 一种晶体管的形成方法,包括:提供的衬底包括基底、位于基底表面的鳍部、以及位于基底表面的隔离层,所述隔离层覆盖部分鳍部的侧壁表面,且所述隔离层的表面低于所述鳍部的顶部表面;形成栅极层、掩膜层和保护层,所述栅极层横跨在所述鳍部上,且所述栅极层位于部分隔离层表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面,所述掩膜层位于所述栅极层的顶部表面,所述栅极层包括第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁平行于所述鳍部的长度方向,所述第二侧壁垂直于所述鳍部的长度方向,所述保护层位于所述第一侧壁靠近顶部的部分表面;在所述保护层表面以及栅极层的侧壁形成侧墙;在所述侧墙和栅极层两侧的鳍部内形成应力层。所形成的晶体管形貌良好、性能改善。
申请公布号 CN105551958A 申请公布日期 2016.05.04
申请号 CN201410599013.5 申请日期 2014.10.30
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 赵杰
分类号 H01L21/336(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 应战;骆苏华
主权项 一种晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底包括基底、位于基底表面的鳍部、以及位于基底表面的隔离层,所述隔离层覆盖部分鳍部的侧壁表面,且所述隔离层的表面低于所述鳍部的顶部表面;形成栅极层、掩膜层和保护层,所述栅极层横跨在所述鳍部上,且所述栅极层位于部分隔离层表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面,所述掩膜层位于所述栅极层的顶部表面,所述栅极层包括第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁平行于所述鳍部的长度方向,所述第二侧壁垂直于所述鳍部的长度方向,所述保护层位于所述第一侧壁靠近顶部的部分表面;在所述保护层表面以及栅极层的侧壁形成侧墙;在所述侧墙和栅极层两侧的鳍部内形成应力层。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号