| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，其在对表面电极进行焊料接合的情况下，在伴随加热或冷却的条件下具有高耐量。本发明具有：第1导电型的漂移层(12)；栅极构造，其形成在漂移层(12)之上的第1区域；表面电极(2)，其覆盖第1区域以及漂移层(12)之上的第2区域而配置；接合层(40)，其局部地形成在表面电极(2)之上；焊料层(3)，其形成在接合层(40)之上；以及引线框(1)，其配置在焊料层(3)之上。接合层(40)将与第1区域对应的表面电极(2)之上的区域覆盖，且接合层(40)的端部位于与第2区域对应的表面电极(2)之上的区域。在第2区域形成有二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN105556661A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201380079685.7 | 申请日期 | 2013.09.19 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 远井茂男 |
| 分类号 | H01L23/34(2006.01)I;H01L25/04(2014.01)I;H01L25/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：第1导电型的漂移层(12、12A)；栅极构造，其形成在所述漂移层(12、12A)之上的部分区域即第1区域；表面电极(2)，其覆盖所述第1区域以及所述漂移层(12、12A)之上的其他区域即第2区域而配置；接合层(40)，其局部地形成在所述表面电极(2)之上；焊料层(3)，其形成在所述接合层(40)之上；以及引线框(1)，其配置在所述焊料层(3)之上，所述接合层(40)将与所述第1区域对应的所述表面电极(2)之上的区域覆盖，且所述接合层(40)的端部位于与所述第2区域对应的所述表面电极(2)之上的区域，在所述第2区域形成有二极管。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||